武汉新芯建新厂　调研：陆NAND Flash迈新纪元

记者许家祯／台北报道大陆记忆体大厂武汉新芯新建记忆体晶圆厂将从本月底开始进行建厂工程，目标最快在2018年年初开始生记忆体晶片，初期规划将以目前最先进的3D-NANDFlash为主要策略产品，代表大陆记忆体产业将开...

记者许家祯／台北报道

大陆记忆体大厂武汉新芯新建记忆体晶圆厂将从本月底开始进行建厂工程，目标最快在2018年年初开始生记忆体晶片，初期规划将以目前最先进的3D-NAND Flash为主要策略产品，代表大陆记忆体产业将开始进入新的里程碑。有调研机构表示，武汉新芯主要以生产NOR Flash为主，月产能约为2万片左右，在NAND Flash产业也展现强大的企图心。

不同于国际NAND Flash大厂，武汉新芯选择与飞索半导体共同合作开发3D-NAND Flash技术，并在去年完成初期晶片电气测试后，持续往更高的堆叠数迈进，目标2017年底或2018年初推出3D-NAND Flash的产品来切入高成长*的闪存存储产业，也透过尽早导入新技术的方式，缩短与现今国际NAND Flash大厂的差距。

TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得指出，武汉新芯规划的新厂产能为长期20万片，产能的提升比需要伴随未来技术开发的成熟，生产的稳定。20万片为长期的最终计划，非短期能达成，比较明显的产出提升应该在5至10年之后。

杨文得表示，英特尔大连厂自今年第4季加入生产行列的带动下，来自中国大陆生产的NAND Flash晶圆将占全球的8%，2017年第3季前可超过10%，显示大陆发展NAND Flash产业的积极度也让国际大厂加速布局角度。

目前NAND Flash产业除三星量产3D-NAND Flash，且已在各大PC-OEMs业者中获得不错的市占率，第3代3D-NAND Flash也将完成产品测试阶段，可望在2016下半年随着新款笔记本电脑铺货的需求而开始量产。

其他NAND Flash业者也陆续加速3D-NAND Flash的开发，自今年下半年将可开始导入相关固态硬盘的需求应用而出货。DRAMeXchange预估2016年整体NAND Flash产业的3D-NAND Flash产出比重将可快速攀升至20%，较去年的6%有显著成长，将可让相关固态硬盘的普及与渗透率成长更加快速。